Dominando as vendas de memórias, especialmente graças à explosão de IA, a Samsung estaria planejando acelerar os planos para antecipar a produção de sua próxima geração de DRAM avançada, conforme apontam rumores. As soluções, que utilizariam a nova litografia 1d da marca, poderiam entrar em fase de fabricação já na metade de 2027, para atender empresas parceiras no fim do próximo ano.
Atualmente, a empresa utiliza o processo 1c (classe entre 11 nm e 12 nm), o estágio mais avançado na organização horizontal para chips de memória, com uso de tecnologias como a litografia ultravioleta extrema (EUV). Com o novo processo 1d (classe entre 10 nm e 11 nm), a gigante sul-coreana vai aplicar mudanças importantes.
Sua grande inovação será a adoção inédita do empilhamento vertical de capacitores. Contudo, para possibilitar essa arquitetura, a fabricação ficará mais complexa: a Samsung usará um wafer exclusivo para os circuitos complementares, que será mais tarde integrado ao wafer das células de memória, em teoria otimizando o espaço e o desempenho.
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